三维激光直写系统利用偏振态可调的激光光束对基底表面的双折射材料实施曝光。通过控制曝光光斑尺寸及光束偏振方向改变基底上液晶分子排布，曝光后显影便可以在基底表面形成对应的微纳结构图案。

　　三维激光直写作光刻版的工艺流程和要求：

　　1. 制作光刻版的工艺流程：

　　a、绘制版图文件；

　　b、转图，生成设备可曝光的文件格式，曝光图形；

　　c、显影，露出铬层；

　　d、蚀刻，使用Cr蚀刻液湿法腐蚀；

　　e、使用湿法去除光刻掩膜版上的光刻胶层，并清洗甩干。

　　2. 制版工艺流程要求：

　　a、版图绘制：可接受文件格式（后缀名）：CIF、DXF、GDSⅡ，文件名用全英文命名；

　　b、绘图软件：Klayout软件绘制版图，可直接生成可接受的格式文件，设备转换出错率低；推荐L-edit软件制图，不要选择默认格式，绘制完成后通过“export”导出后缀名为可接受的格式；使用AutoCAD软件绘图，保存格式选择设备可接受的格式，出错率较高。

　　建议：每种版图软件保存非默认格式都有机会出现错误，请重新打开软件检查自己的版图

　　3. 图层：

　　一个版图文件可以包含多个图层，但是一块光刻掩膜版只对应一个图层上的图形。如果需要制作多个光刻版，图形之间存在套刻关系，请在绘制图形时，将图形绘制在同一版图文件的不同图层（layer）上,并且设计统一大小的边框，各层图形的位置必须根据套刻关系严格对应，并设置相应的套刻标记，以方便制版后的光刻操作。或者各个版图文件分别保存独立的文件（我们的设备可以选择曝光哪一个layer,但不能选择曝光哪一个cell）。

　　4. 版图极性：

　　正图（Non-Inverted）和反图（Inverted）。正图是指实体图形区域（或者说阴影区域）对应掩膜版Cr层被镂空的透光区域（polygons=glass）；反图是指阴影图形区域对应光刻掩膜版铬Cr层不透光区域。默认情况版图为正图，有特殊说明可提前与工程师联系。

　　5. 对称性：

　　版图文件中的默认图形为掩膜版各面向上所呈现的图形。掩膜版制好后，通过光刻机将图形转移到样品表面时，图形将会呈现水平镜像翻转。