随着工艺制程的逐渐提升，EUV以及高NA EUV光刻机的出现，对于掩膜带来了新的挑战。掩模缺陷的影响将越来越大，这表明掩模设计规则需要变得更加严格。

　　因此，为了实现更加灵活的光刻过程，业界开始研究用其他的东西取代物理掩膜，甚至干脆不使用掩膜进行加工，这样的方法称为“无掩膜光刻”。

　　直写光刻也称无掩膜光刻，是指计算机控制的高精度光束聚焦投影至涂覆有感光材料的基材表面上，无需掩膜直接进行扫描曝光。

　　直写光刻根据辐射源的不同大致可进一步分为两大主要类型：一种是基于带电粒子的直写光刻（CPML），包括电子束直写、离子束直写等；另一种是基于光学的直写光刻（OML），包括干涉光刻、激光直写光刻，以及基于空间光调节器的光刻技术等。

　　使用可编程控制的SLM器件直接对照明光束进行调制，形成不同的图形直接投影在衬底上完成曝光，相当于将实体的掩膜版数字化，称为基于SLM的数字光刻技术。

　　无掩膜光刻是一种能将光的空间分布进行调制的微型器件，由很多微小单元呈线型或方阵排列而成。这些单元通过计算机编程控制，便捷的将图形掩膜数字化，通过编程灵活性的改变掩膜形状，替代了传统光刻使用的“物理掩膜版”，从而避免了传统光刻系统掩膜版制造复杂昂贵、灵活性差等问题。

　　无掩膜光刻在泛半导体的产业化生产中，直写光刻与掩膜光刻应用的细分市场所要求的光刻精度（最小线宽）具有明显差别。