1、实现硅基光电芯片网络之间低损耗连接；

2、实现硅基光子芯片网络连接自动化，提升连接效率；

3、提升每毫米芯片尺度连接密度，提升硅基光子芯片集成度；

4、实现三维空间硅基光子芯片间自由连接。

光子桥接激光键合方式具有无需压力、无高温残余应力、无需强电场干扰等诸多优势。

激光退火： 

激光退火技术主要用于修复半导体材料，尤其是硅。传统的加热退火技术是把整个晶圆放在真空炉中，在一定的温度（一般是300-1200℃）下退火10-60min。这种退火方式并不能完全消除缺陷，高温却导致材料性能下降，掺杂物质析出等问题。因此从上世纪末开始，激光退火的研究就变得十分活跃，发展出毫秒级脉冲激光退火、纳秒级脉冲激光退火和高频Q开关脉冲激光退火等多种激光退火方法。近些年来，激光退火已在国内外取得了一些成熟的应用。激光退火主要优势体现在： 

（1）加热时间短，能够获得高浓度的掺杂层； 

（2）加热局限于局部表层，不会影响周围元件的物理性能； 

（3）能够能到半球形的很深的接触区； 

（4）由于激光束可以整形到非常细，为微区薄层退火提供了可能。

激光钻孔： 

激光钻孔广泛用于金属、PCB、玻璃面板等领域的钻孔。