紫外光刻机广泛用于MEMS和光电子，例如LED生产。它经过特殊设计，方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料，包括砷化镓和磷化铟。而且该设备可通过选配升级套件，实现紫外纳米压印光刻。它具有以下亮点：高分辨率掩模对准光刻，特征尺寸优于0.5微米、装配SUSS的单视场显微镜或分视场显微镜，实现快速准确对准、针对厚胶工艺进行优化的高分辨光学系统、可选配通用光学器件，在不同波长间进行快速切换等。

　　紫外光刻机是利用一定波长的紫外光，通过掩模版使特定区域的光透过，从而辐照到光刻胶表面进行曝光。紫外光刻是典型的大面积光刻技术，能够快速实现微纳光学器件地复制。所用的波长一般为365nm，极限曝光分辨率为1μm，对准精度0.6μm，最大掩模尺寸为5英寸，样品尺寸支持各种不规则片以及4英寸晶圆，具有真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光以及接近曝光四种功能。同时可提供紫外纳米压印功能，最高分辨率可达50nm。

　　紫外光刻对对光源系统的要求

　　a.有适当的波长。波长越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高，因为衍射现象会更严重。

　　b.有足够的能量。能量越大，曝光时间就越短；

　　c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度 或者叫 不均匀度 光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布]

　　常用的紫外光光源是高压弧光灯（高压汞灯），高压汞灯有许多尖锐的光谱线，经过滤光后使用其中的g 线（436 nm）或i 线（365 nm）。

　　对于波长更短的深紫外光光源，可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光（248 nm）、ArF 准分子激光（193 nm）和F2准分子激光（157 nm）等。

　　曝光系统的功能主要有：平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。